MOSFET: STD100NH03L 30個で1組 收藏
一口价: 1000 (合 50.00 人民币)
拍卖号:j1037981849
开始时间:02/05/2025 15:07:47
个 数:1
结束时间:02/12/2025 11:07:47
商品成色:新品
可否退货:不可
提前结束:可
日本邮费:买家承担
自动延长:可
最高出价:
出价次数:0
MOSFET: STD100NH03L 30個で1組 | |
商品説明Remark::Overseas shipment available. Please contact us for more details. | 1. IRFZ44RPBF・・・・・・・終了しました メーカ:Vishay Semiconductors Id - 連続ドレイン電流:50 A Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 60 V Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 28 mOhms トランジスタ極性:N-Channel Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:20 V 最低最高動作温度:- 55 C~+ 175 C Pd - 電力損失:150 W 取り付け様式:Through Hole パッケージ/ケース:TO-220-3 チャネルモード:Enhancement、 構成: Single、 下降時間:92 ns、 上昇時間:110 ns 2.2SK3742(Q)・・・・・・・・終了しました メーカ:Toshiba Id - 連続ドレイン電流:5 A Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 900 V Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 2.5 Ohms トランジスタ極性:N-Channel Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:30 V 最低最高動作温度:- 55 C~+ 150 C Pd - 電力損失:450 W パッケージ/ケース:TO-220FP-3 チャネルモード: Enhancement、 構成: Single 下降時間:110 ns、上昇時間:11 ns 3.STD100NH03L・・・・・・30個で1組 メーカ:STMicroelectronics Id - 連続ドレイン電流:60 A Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 30 V Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 5 mOhms トランジスタ極性:N-Channel Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:20 V 最低最高動作温度:- 55 C~+ 175 C Pd - 電力損失:100 W 取り付け様式:SMD/SMT パッケージ/ケース:DPAK-3 チャネルモード:Enhancement 構成:Single 下降時間:23 ns,上昇時間: 95 ns 順方向トランスコンダクタンス - 最小: 40 S 表示仕様が的確でない場合もありますので更に詳しい仕様はWEBでお調べください。追加可能です。 他の製品もありますので、よかったらどうぞ。 その他のオークションも是非ご覧下さい。 休日: 土曜、日曜、祝日、年末年始、夏休み(8月中旬) メールの返答や配送、質問の返答が遅くなる場合がございます。 何卒ご理解の程よろしくお願い申し上げます。 |
注意事項 | ノークレーム・ノーリターンでお願いします。 在庫が急に無くなる事が有ります、お支払前に在庫確認をお願いします。 お願い:電気・電子の技術的知識は乏しいので満足にお答え出来ません、先にご了解ください。 |
発送詳細 | 荷造費用及び送料 200円 |
支払方法 | ■!かんたん決済 |
こちらの商品案内は 「■@即売くん4.21■」 で作成されました。 |
出价者 | 信用 | 价格 | 时间 |
---|
推荐